半導體設備和材料處于產業鏈上游，是推動技術進步的關鍵環節。半導體設備和材料應用于集成電路（IC）、LED、MEMS、分立器件等領域，其中以IC領域的占比和技術難度更高。IC制造分為前道、后道，以及中道制程，主要有氧化爐、PVD、CVD、光刻、涂膠顯影、刻蝕、CMP、晶圓鍵合、離子注入、清洗、測試、減薄、劃片、引線鍵合、電鍍等設備，半導體材料主要包括襯底（硅片/藍寶石/GaAs等）、光刻膠、電子氣體、濺射靶材、CMP材料、掩膜版、電鍍液、封裝基板、引線框架、鍵合絲、塑封材料等。 

半導體制造工藝流程及其需要的設備和材料  半導體產品的加工過程主要包括晶圓制造（前道，Front-End）和封裝（后道，Back-End）測試，隨著先進封裝技術的滲透，出現介于晶圓制造和封裝之間的加工環節，稱為中道（Middle-End）。由于半導體產品的加工工序多，所以在制造過程中需要大量的半導體設備和材料。下面，我們展示的是復雜的晶圓制造（前道）和傳統封裝（后道）工藝。